制程与芯片组的性能优劣密切相关，处理器制程越先进，便更能为消费者打造体积更轻薄、执行速度更快、电源效率更高的智能手机，也更能为制造商提供充裕的设计弹性。联发科技是处理器研发领先企业，目前更是业界少数率先推出 10 纳米制程产品的企业。

将数十亿个晶体管压缩到缩图大小的芯片中

从历史上来看，若处理器构建在制程技术逐渐减小的晶片，会带来更好的性能及更低的功耗。其原理来自于晶体管间的物理距离、晶体管栅极尺寸以及切换栅极所需的电流量减小所导致。随着晶体管越来越小，阈值变得更加紧凑，有源电压随之降低，进从达到节省功率的效益。

MediaTek 再度与领先的晶圆领导厂商台积电携手合作，采用台积电 10 纳米制程投产。台积电是 MediaTek 的长期技术伙伴，也是在芯片制程技术创新的领导者。台积电的 10纳 米制程导入了高性能低功耗 3D 鳍式场效晶体管（FinFET）技术。

相较 16FF+ 制程，10 纳米制程可让晶粒尺寸节省 50%，速度提升高达 20%，更可节省 40% 的电耗。如台积电表示，10 纳米制程能够提供“目前业界接触间距较小，芯片密度较高”的精湛工艺。

MediaTek Helio X30 家族芯片能够为用户提供智能手机产品尖端的功能、性能与电源效率。

在 16/14 纳米产品中，MediaTek Helio P30 家族晶片便是采用台积电新的 12 纳米制程技术。 12 纳米 FinFET 技术使栅极密度升高，并在业界 16/14 纳米产品中提供高效性能。与台积电的 20 纳米单晶片制程相比，其 16/12 纳米速度提高了 50％，在相同速度下功耗降低了 60％。

16 纳米制程

性能与功耗表现再升级

MediaTek 产品也采用台积电 16 纳米 FinFET 强效版制程，因此能再次设计高度整合的功能，让产品具备更优异的性能与电源效率表现，如相较于 28 纳米高效能行动运算技术（28nm HPM），性能提升高达 65%，或是在不影响性能的前提下可降低 30%~50% 漏电流。

MediaTek Helio P20 家族晶片采用 16 纳米 FinFET 强效版制程，因此能打造体积更精巧、性能更强劲、功能更丰富的智能手机。

台积电的 20 纳米制程是目前业界商用平面式晶体管制程，同时具备研发传统 2D 晶体管的高成本效益以及高效的电源效率与性能。MediaTek Helio X20 家族芯片采用此制程，推出三丛集架构的芯片处理器，具备高度整合的先进功能，持续为安卓产品用户带来非同凡响的智能手机体验

20 纳米制程的闸极密度提高了 1.9 倍，比 28 纳米的耗电量减少达 25%，性能提升达 30%。

针对大量生产的安卓智能手机产品，联发科技采用各种兼具性能与成本效益的台积电 28 纳米制程，开发各式入门等级至主流规格的智能手机产品。这些制程针对各式应用功能需求量身打造，以达到高电源效率、高性能、高成本效益的要求。