芯片组制程再进化 = 更强劲的性能与效率

制程与芯片组的性能优劣密切相关,处理器制程越先进,便更能为消费者打造体积更轻薄、执行速度更快、电源效率更高的智能手机,也更能为制造商提供充裕的设计弹性。联发科技是处理器研发顶尖企业,目前更是业界少数率先推出 10 纳米制程产品的企业。

将数十亿个晶体管压缩到缩图大小的芯片中


从历史上来看,若处理器构建在制程技术逐渐减小的晶片,会带来更好的性能及更低的功耗。其原理来自于晶体管间的物理距离、晶体管栅极尺寸以及切换栅极所需的电流量减小所导致。随着晶体管越来越小,阈值变得更加紧凑,有源电压随之降低,进从达到节省功率的效益。

10 纳米制程

极致工艺

MediaTek 再度与世界级晶圆领导厂商台积电携手合作,采用台积电 10 纳米制程投产。台积电是 MediaTek 的长期技术伙伴,也是在芯片制程技术创新的领导者。台积电的 10纳 米制程导入了最新的高性能低功耗 3D 鳍式场效晶体管(FinFET)技术。

相较 16FF+ 制程,10 纳米制程可让晶粒尺寸节省 50%,速度提升高达 20%,更可节省 40% 的电耗。如台积电表示,10 纳米制程能够提供“目前业界接触间距最小,芯片密度最高”的精湛工艺。

MediaTek Helio X30 家族芯片能够为用户提供智能手机产品最尖端的功能、性能与电源效率。

12 纳米制程

快速高效

在 16/14 纳米产品中,MediaTek Helio P30 家族晶片便是采用台积电新的 12 纳米制程技术。 12 纳米 FinFET 技术使栅极密度达到最大,并在业界 16/14 纳米产品中提供最佳性能。与台积电的 20 纳米单晶片制程相比,其 16/12 纳米速度提高了 50%,在相同速度下功耗降低了 60%。

16 纳米制程

性能与功耗表现再升级

MediaTek 产品也采用台积电 16 纳米 FinFET 强效版制程,因此能再次设计高度整合的功能,让产品具备更优异的性能与电源效率表现,如相较于 28 纳米高效能行动运算技术(28nm HPM),性能提升高达 65%,或是在不影响性能的前提下可降低 30%~50% 漏电流。

MediaTek Helio P20 家族晶片采用 16 纳米 FinFET 强效版制程,因此能打造体积更精巧、性能更强劲、功能更丰富的智能手机。

20 纳米制程

高性能、高成本效益

台积电的 20 纳米制程是目前业界最小的商用平面式晶体管制程,同时具备研发传统 2D 晶体管的高成本效益以及绝佳的电源效率与性能。MediaTek Helio X20 家族芯片采用此制程,推出首款三丛集架构的芯片处理器,具备高度整合的先进功能,持续为安卓产品用户带来非同凡响的智能手机体验

20 纳米制程的闸极密度提高了 1.9 倍,比 28 纳米的耗电量减少达 25%,性能提升达 30%。

28 纳米制程

兼具性能与成本效益

针对大量生产的安卓智能手机产品,联发科技采用各种兼具性能与成本效益的台积电 28 纳米制程,开发各式入门等级至主流规格的智能手机产品。这些制程针对各式应用功能需求量身打造,以达到高电源效率、高性能、高成本效益的要求。